次世代半導体デバイス材料の革新的な評価手法が登場!!～ テラヘルツ分光法による酸化ガリウムの超高周波特性の計測 ～
次世代半導体デバイス材料の革新的な評価手法が登場!!
～ テラヘルツ分光法による酸化ガリウムの超高周波特性の計測 ～
１．発表者
中嶋 誠 (大阪大学レーザー科学研究所 准教授)
Agulto, Verdad C. (大阪大学大学院工学研究科 博士後期課程)
Mag-usara, Valynn Katrine (大阪大学レーザー科学研究所 特任研究員)
岩本 敏志 (日邦プレシジョン株式会社)
熊谷 義直 (中国竞彩网大学院工学研究院 教授)
村上 尚（中国竞彩网大学院工学研究院 准教授）
後藤 健 (中国竞彩网大学院工学研究院 助教)
２．発表のポイント
- 次世代パワーデバイスとして活用が期待される超ワイドギャップ半導体である酸化ガリウム（β-Ga2O3）のテラヘルツ時間領域分光法(THz-TDS)による計測を世界で初めて実施
- 超高周波領域であるテラヘルツ周波数帯におけるβ-Ga2O3の基礎的な特性である屈折率や誘電率を確定することに成功した。デバイスを開発する際に必要な電気特性であるキャリア密度や移動度、散乱時間の値を得ることにも成功した。
- THz-TDSによる非接触?非破壊による半導体特性評価は非常に有効であり、従来の接触型の評価法(ホール測定やCV測定等)と比べても十分に実用的であることが確認された。
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